Microsemi Corporation APTM60H23FT1G MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

APTM60H23FT1G

MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1

حصے کا نمبر

APTM60H23FT1G

مینوفیکچرر/برانڈ

Microsemi Corporation

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Bulk

آپریٹنگ درجہ حرارت

-40°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Chassis Mount

پیکیج / کیس

SP1

پاور - زیادہ سے زیادہ

208W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

SP1

FET قسم

4 N-Channel (H-Bridge)

FET کی خصوصیت

Standard

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

600V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

20A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

276 mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

5V @ 1mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

165nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

5316pF @ 25V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 32043 PCS

رابطے کی معلومات