Microsemi Corporation APTM100A12STG MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

APTM100A12STG

MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W

حصے کا نمبر

APTM100A12STG

مینوفیکچرر/برانڈ

Microsemi Corporation

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Discontinued at Digi-Key

پیکیجنگ

Bulk

آپریٹنگ درجہ حرارت

-40°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Chassis Mount

پیکیج / کیس

SP3

پاور - زیادہ سے زیادہ

1250W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

SP3

FET قسم

2 N-Channel (Half Bridge)

FET کی خصوصیت

Standard

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

1000V (1kV)

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

68A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

120 mOhm @ 34A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

5V @ 10mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

616nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

17400pF @ 25V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 45981 PCS

رابطے کی معلومات