Microsemi Corporation APTM100A23SCTG MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

APTM100A23SCTG

MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4

حصے کا نمبر

APTM100A23SCTG

مینوفیکچرر/برانڈ

Microsemi Corporation

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Bulk

آپریٹنگ درجہ حرارت

-40°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Chassis Mount

پیکیج / کیس

SP4

پاور - زیادہ سے زیادہ

694W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

SP4

FET قسم

2 N-Channel (Half Bridge)

FET کی خصوصیت

Silicon Carbide (SiC)

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

1000V (1kV)

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

36A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

270 mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

5V @ 5mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

308nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

8700pF @ 25V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 30938 PCS

رابطے کی معلومات