Microsemi Corporation APTM100A13DG MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

APTM100A13DG

MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

حصے کا نمبر

APTM100A13DG

مینوفیکچرر/برانڈ

Microsemi Corporation

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Bulk

آپریٹنگ درجہ حرارت

-40°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Chassis Mount

پیکیج / کیس

SP6

پاور - زیادہ سے زیادہ

1250W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

SP6

FET قسم

2 N-Channel (Half Bridge)

FET کی خصوصیت

Standard

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

1000V (1kV)

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

65A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

156 mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

5V @ 6mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

562nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

15200pF @ 25V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 14219 PCS

رابطے کی معلومات