Microsemi Corporation APTM50H10FT3G MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

APTM50H10FT3G

MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3

حصے کا نمبر

APTM50H10FT3G

مینوفیکچرر/برانڈ

Microsemi Corporation

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Bulk

آپریٹنگ درجہ حرارت

-40°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Chassis Mount

پیکیج / کیس

SP3

پاور - زیادہ سے زیادہ

312W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

SP3

FET قسم

4 N-Channel (H-Bridge)

FET کی خصوصیت

Standard

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

500V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

37A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

120 mOhm @ 18.5A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

5V @ 1mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

96nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

4367pF @ 25V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 10299 PCS

رابطے کی معلومات