Microsemi Corporation APTM20HM08FG MOSFET 4N-CH 200V 208A SP6

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

APTM20HM08FG

MOSFET 4N-CH 200V 208A SP6

حصے کا نمبر

APTM20HM08FG

مینوفیکچرر/برانڈ

Microsemi Corporation

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Bulk

آپریٹنگ درجہ حرارت

-40°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Chassis Mount

پیکیج / کیس

SP6

پاور - زیادہ سے زیادہ

781W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

SP6

FET قسم

4 N-Channel (H-Bridge)

FET کی خصوصیت

Standard

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

200V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

208A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

10 mOhm @ 104A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

5V @ 5mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

280nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

14400pF @ 25V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 22284 PCS

رابطے کی معلومات