Microsemi Corporation APTM120H29FG MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

APTM120H29FG

MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6

حصے کا نمبر

APTM120H29FG

مینوفیکچرر/برانڈ

Microsemi Corporation

سلسلہ

POWER MOS 7®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Bulk

آپریٹنگ درجہ حرارت

-40°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Chassis Mount

پیکیج / کیس

SP6

پاور - زیادہ سے زیادہ

780W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

SP6

FET قسم

4 N-Channel (H-Bridge)

FET کی خصوصیت

Standard

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

1200V (1.2kV)

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

34A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

348 mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

5V @ 5mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

374nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

10300pF @ 25V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 17117 PCS

رابطے کی معلومات