Microsemi Corporation APTM120A65FT1G MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

APTM120A65FT1G

MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1

حصے کا نمبر

APTM120A65FT1G

مینوفیکچرر/برانڈ

Microsemi Corporation

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Bulk

آپریٹنگ درجہ حرارت

-40°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Chassis Mount

پیکیج / کیس

SP1

پاور - زیادہ سے زیادہ

390W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

SP1

FET قسم

2 N-Channel (Half Bridge)

FET کی خصوصیت

Standard

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

1200V (1.2kV)

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

16A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

780 mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

5V @ 2.5mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

300nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

7736pF @ 25V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 5441 PCS

رابطے کی معلومات