Microsemi Corporation APTM10UM01FAG MOSFET N-CH 100V 860A SP6

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

APTM10UM01FAG

MOSFET N-CH 100V 860A SP6

حصے کا نمبر

APTM10UM01FAG

مینوفیکچرر/برانڈ

Microsemi Corporation

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Bulk

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-40°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Chassis Mount

پیکیج / کیس

SP6

سپلائر ڈیوائس پیکیج

SP6

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

2500W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

100V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

860A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

1.6 mOhm @ 275A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4V @ 12mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

2100nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

60000pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±30V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 32598 PCS

رابطے کی معلومات