Microsemi Corporation APTM100UM60FAG MOSFET N-CH 1000V 129A SP6

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

APTM100UM60FAG

MOSFET N-CH 1000V 129A SP6

حصے کا نمبر

APTM100UM60FAG

مینوفیکچرر/برانڈ

Microsemi Corporation

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Bulk

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-40°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Chassis Mount

پیکیج / کیس

SP6

سپلائر ڈیوائس پیکیج

SP6

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

2272W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

1000V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

129A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

70 mOhm @ 64.5A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

5V @ 15mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

1116nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

31100pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±30V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 9094 PCS

رابطے کی معلومات