Microsemi Corporation APTM100TDU35PG MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

APTM100TDU35PG

MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P

حصے کا نمبر

APTM100TDU35PG

مینوفیکچرر/برانڈ

Microsemi Corporation

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Bulk

آپریٹنگ درجہ حرارت

-40°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Chassis Mount

پیکیج / کیس

SP6

پاور - زیادہ سے زیادہ

390W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

SP6-P

FET قسم

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET کی خصوصیت

Standard

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

1000V (1kV)

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

22A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

420 mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

5V @ 2.5mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

186nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

5200pF @ 25V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 39162 PCS

رابطے کی معلومات