Microsemi Corporation APTM100H35FT3G MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

APTM100H35FT3G

MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3

حصے کا نمبر

APTM100H35FT3G

مینوفیکچرر/برانڈ

Microsemi Corporation

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Bulk

آپریٹنگ درجہ حرارت

-40°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Chassis Mount

پیکیج / کیس

SP3

پاور - زیادہ سے زیادہ

390W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

SP3

FET قسم

4 N-Channel (H-Bridge)

FET کی خصوصیت

Standard

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

1000V (1kV)

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

22A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

420 mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

5V @ 2.5mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

186nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

5200pF @ 25V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 39223 PCS

رابطے کی معلومات