WeEn Semiconductors BYC30WT-600PQ DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-3

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

BYC30WT-600PQ

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-3

حصے کا نمبر

BYC30WT-600PQ

مینوفیکچرر/برانڈ

WeEn Semiconductors

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-247-3

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-247-3

ڈایڈڈ کی قسم

Standard

موجودہ - اوسط اصلاح شدہ (Io)

30A

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

2.75V @ 30A

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

10µA @ 600V

وولٹیج - DC ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ)

600V

رفتار

Fast Recovery = 200mA (Io)

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

22ns

آپریٹنگ درجہ حرارت - جنکشن

175°C (Max)

Capacitance @ Vr، F

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 24979 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

BYC30-1200PQ

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC