WeEn Semiconductors BYC30B-600PJ DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

BYC30B-600PJ

DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK

حصے کا نمبر

BYC30B-600PJ

مینوفیکچرر/برانڈ

WeEn Semiconductors

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

سپلائر ڈیوائس پیکیج

D2PAK

ڈایڈڈ کی قسم

Standard

موجودہ - اوسط اصلاح شدہ (Io)

30A

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

2.75V @ 30A

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

10µA @ 600V

وولٹیج - DC ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ)

600V

رفتار

Fast Recovery = 200mA (Io)

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

35ns

آپریٹنگ درجہ حرارت - جنکشن

175°C (Max)

Capacitance @ Vr، F

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 45869 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

BYC30-1200PQ

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC