Vishay Semiconductor Diodes Division VS-FB190SA10 MOSFET N-CH 100V 190A SOT227

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

VS-FB190SA10

MOSFET N-CH 100V 190A SOT227

حصے کا نمبر

VS-FB190SA10

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Semiconductor Diodes Division

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Chassis Mount

پیکیج / کیس

SOT-227-4, miniBLOC

سپلائر ڈیوائس پیکیج

SOT-227

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

568W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

100V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

190A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

6.5 mOhm @ 180A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4.35V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

250nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

10700pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 43107 PCS

رابطے کی معلومات