Vishay Semiconductor Diodes Division VS-FB180SA10P MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

VS-FB180SA10P

MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227

حصے کا نمبر

VS-FB180SA10P

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Semiconductor Diodes Division

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Bulk

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Chassis Mount

پیکیج / کیس

SOT-227-4, miniBLOC

سپلائر ڈیوائس پیکیج

SOT-227

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

480W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

100V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

180A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

6.5 mOhm @ 180A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

380nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

10700pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 48025 PCS

رابطے کی معلومات