IXTT26N50P
MOSFET N-CH 500V 26A TO-268
حصے کا نمبر
IXTT26N50P
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
PolarHV™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-268
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
400W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
500V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
26A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
230 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
5.5V @ 250µA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
65nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
3600pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±30V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 18543 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXTT26N50P
IXTT26N50P الیکٹرانک اجزاء
IXTT26N50P سیلز
IXTT26N50P فراہم کنندہ
IXTT26N50P فراہم کنندہ
IXTT26N50P ڈیٹا ٹیبل
IXTT26N50P تصاویر
IXTT26N50P قیمت
IXTT26N50P پیشکش
IXTT26N50P کم ترین قیمت
IXTT26N50P تلاش کریں۔
IXTT26N50P خریداری
IXTT26N50P Chip