IXTT100N25P
MOSFET N-CH 250V 100A TO-268
حصے کا نمبر
IXTT100N25P
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
PolarHT™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-268
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
600W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
250V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
100A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
24 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
5V @ 250µA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
185nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
6300pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 29083 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXTT100N25P
IXTT100N25P الیکٹرانک اجزاء
IXTT100N25P سیلز
IXTT100N25P فراہم کنندہ
IXTT100N25P فراہم کنندہ
IXTT100N25P ڈیٹا ٹیبل
IXTT100N25P تصاویر
IXTT100N25P قیمت
IXTT100N25P پیشکش
IXTT100N25P کم ترین قیمت
IXTT100N25P تلاش کریں۔
IXTT100N25P خریداری
IXTT100N25P Chip