IXYS IXTT10N100D MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IXTT10N100D

MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268

حصے کا نمبر

IXTT10N100D

مینوفیکچرر/برانڈ

IXYS

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-268

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

400W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

Depletion Mode

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

1000V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

10A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

1.4 Ohm @ 10A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3.5V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

130nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

2500pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±30V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 23660 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

IXTT02N450HV

MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO268