IXTT170N10P
MOSFET N-CH 100V 170A TO-268
حصے کا نمبر
IXTT170N10P
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
Polar™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 175°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-268
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
715W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
100V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
170A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
9 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
5V @ 250µA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
198nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
6000pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 47518 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXTT170N10P
IXTT170N10P الیکٹرانک اجزاء
IXTT170N10P سیلز
IXTT170N10P فراہم کنندہ
IXTT170N10P فراہم کنندہ
IXTT170N10P ڈیٹا ٹیبل
IXTT170N10P تصاویر
IXTT170N10P قیمت
IXTT170N10P پیشکش
IXTT170N10P کم ترین قیمت
IXTT170N10P تلاش کریں۔
IXTT170N10P خریداری
IXTT170N10P Chip