IXFB210N20P
MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264
حصے کا نمبر
IXFB210N20P
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
HiPerFET™, PolarP2™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 175°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Through Hole
پیکیج / کیس
TO-264-3, TO-264AA
سپلائر ڈیوائس پیکیج
PLUS264™
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
1500W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
200V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
210A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
10.5 mOhm @ 105A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
4.5V @ 8mA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
255nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
18600pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 53447 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXFB210N20P
IXFB210N20P الیکٹرانک اجزاء
IXFB210N20P سیلز
IXFB210N20P فراہم کنندہ
IXFB210N20P فراہم کنندہ
IXFB210N20P ڈیٹا ٹیبل
IXFB210N20P تصاویر
IXFB210N20P قیمت
IXFB210N20P پیشکش
IXFB210N20P کم ترین قیمت
IXFB210N20P تلاش کریں۔
IXFB210N20P خریداری
IXFB210N20P Chip