IXYS IXFB120N50P2 MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IXFB120N50P2

MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264

حصے کا نمبر

IXFB120N50P2

مینوفیکچرر/برانڈ

IXYS

سلسلہ

HiPerFET™, PolarHV™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-264-3, TO-264AA

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PLUS264™

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

1890W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

500V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

120A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

43 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

5V @ 8mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

300nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

19000pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±30V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 17191 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

IXFB100N50P

MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264