IXYS IXFB110N60P3 MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IXFB110N60P3

MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264

حصے کا نمبر

IXFB110N60P3

مینوفیکچرر/برانڈ

IXYS

سلسلہ

HiPerFET™, Polar3™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-264-3, TO-264AA

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PLUS264™

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

1890W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

600V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

110A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

56 mOhm @ 55A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

5V @ 8mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

245nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

18000pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±30V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 7133 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

IXFB100N50P

MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264