GeneSiC Semiconductor GA50JT17-247 TRANS SJT 1.7KV 100A

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

GA50JT17-247

TRANS SJT 1.7KV 100A

حصے کا نمبر

GA50JT17-247

مینوفیکچرر/برانڈ

GeneSiC Semiconductor

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

آپریٹنگ درجہ حرارت

175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-247-3

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-247

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

583W (Tc)

FET قسم

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

1700V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

100A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

25 mOhm @ 50A

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 8984 PCS

رابطے کی معلومات