GeneSiC Semiconductor GA50JT06-258 TRANS SJT 600V 100A

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

GA50JT06-258

TRANS SJT 600V 100A

حصے کا نمبر

GA50JT06-258

مینوفیکچرر/برانڈ

GeneSiC Semiconductor

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Bulk

ٹیکنالوجی

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 225°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-258-3, TO-258AA

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-258

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

769W (Tc)

FET قسم

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

600V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

100A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

25 mOhm @ 50A

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 45829 PCS

رابطے کی معلومات