WeEn Semiconductors BYV10EX-600PQ DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

BYV10EX-600PQ

DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F

حصے کا نمبر

BYV10EX-600PQ

مینوفیکچرر/برانڈ

WeEn Semiconductors

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-220FP

ڈایڈڈ کی قسم

Standard

موجودہ - اوسط اصلاح شدہ (Io)

10A

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

2V @ 10A

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

10µA @ 600V

وولٹیج - DC ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ)

600V

رفتار

Fast Recovery = 200mA (Io)

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

50ns

آپریٹنگ درجہ حرارت - جنکشن

-65°C ~ 175°C

Capacitance @ Vr، F

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 10800 PCS

رابطے کی معلومات