Vishay Siliconix SUD35N10-26P-E3 MOSFET N-CH 100V 35A TO252

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SUD35N10-26P-E3

MOSFET N-CH 100V 35A TO252

حصے کا نمبر

SUD35N10-26P-E3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-252

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

8.3W (Ta), 83W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

100V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

35A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

26 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4.4V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

47nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

2000pF @ 12V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

7V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 16623 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SUD35N05-26L-E3

MOSFET N-CH 55V 35A TO252