Vishay Siliconix SQM10250E_GE3 MOSFET N-CHAN 250V TO-263

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

SQM10250E_GE3

MOSFET N-CHAN 250V TO-263

حصے کا نمبر

SQM10250E_GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Active

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-263 (D²Pak)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

375W (Tc)

FET قسم

N-Channel

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

250V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

65A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

30 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3.5V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

75nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

4050pF @ 25V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

7.5V, 10V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 37884 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SQM100N02-3M5L_GE3

MOSFET N-CH 20V 100A TO263