Vishay Siliconix SIUD412ED-T1-GE3 MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SIUD412ED-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806

حصے کا نمبر

SIUD412ED-T1-GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

PowerPAK® 0806

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PowerPAK® 0806

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

1.25W (Ta)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

12V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

500mA (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

340 mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

900mV @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

0.71nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

21pF @ 6V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

1.2V, 4.5V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±5V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 11926 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SIUD402ED-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806