SIHA11N80E-GE3
MOSFET N-CHAN 800V TO-220FP
حصے کا نمبر
SIHA11N80E-GE3
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
E
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
-
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Through Hole
پیکیج / کیس
TO-220-3 Full Pack
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-220 Full Pack
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
34W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
800V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
12A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
440 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
4V @ 250µA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
88nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
1670pF @ 100V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±30V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 22700 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ SIHA11N80E-GE3
SIHA11N80E-GE3 الیکٹرانک اجزاء
SIHA11N80E-GE3 سیلز
SIHA11N80E-GE3 فراہم کنندہ
SIHA11N80E-GE3 فراہم کنندہ
SIHA11N80E-GE3 ڈیٹا ٹیبل
SIHA11N80E-GE3 تصاویر
SIHA11N80E-GE3 قیمت
SIHA11N80E-GE3 پیشکش
SIHA11N80E-GE3 کم ترین قیمت
SIHA11N80E-GE3 تلاش کریں۔
SIHA11N80E-GE3 خریداری
SIHA11N80E-GE3 Chip