Vishay Siliconix SIB911DK-T1-GE3 MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SIB911DK-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6

حصے کا نمبر

SIB911DK-T1-GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

PowerPAK® SC-75-6L Dual

پاور - زیادہ سے زیادہ

3.1W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PowerPAK® SC-75-6L Dual

FET قسم

2 P-Channel (Dual)

FET کی خصوصیت

Standard

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

20V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

2.6A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

295 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

4nC @ 8V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

115pF @ 10V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 19606 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SIB900EDK-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6