Vishay Siliconix SI6562CDQ-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

SI6562CDQ-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP

حصے کا نمبر

SI6562CDQ-T1-GE3

مینوفیکچرر/برانڈ

Vishay Siliconix

سلسلہ

TrenchFET®

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Cut Tape (CT)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

پاور - زیادہ سے زیادہ

1.6W, 1.7W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

8-TSSOP

FET قسم

N and P-Channel

FET کی خصوصیت

Logic Level Gate

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

20V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

6.7A, 6.1A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

22 mOhm @ 5.7A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1.5V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

23nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

850pF @ 10V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 27202 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

SI6544BDQ-T1-E3

MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP