تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔
IRC640PBF

IRC640PBF

MOSFET N-CH 200V 18A TO-220-5
حصے کا نمبر
IRC640PBF
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
HEXFET®
حصہ کی حیثیت
Obsolete
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Through Hole
پیکیج / کیس
TO-220-5
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-220-5
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
125W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
Current Sensing
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
200V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
18A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
4V @ 250µA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
70nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
1300pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 5181 PCS
رابطے کی معلومات
کے مطلوبہ الفاظ IRC640PBF
IRC640PBF الیکٹرانک اجزاء
IRC640PBF سیلز
IRC640PBF فراہم کنندہ
IRC640PBF فراہم کنندہ
IRC640PBF ڈیٹا ٹیبل
IRC640PBF تصاویر
IRC640PBF قیمت
IRC640PBF پیشکش
IRC640PBF کم ترین قیمت
IRC640PBF تلاش کریں۔
IRC640PBF خریداری
IRC640PBF Chip