Toshiba Semiconductor and Storage BAS516,H3F DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

BAS516,H3F

DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC

حصے کا نمبر

BAS516,H3F

مینوفیکچرر/برانڈ

Toshiba Semiconductor and Storage

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

SC-79, SOD-523

سپلائر ڈیوائس پیکیج

ESC

ڈایڈڈ کی قسم

Standard

موجودہ - اوسط اصلاح شدہ (Io)

250mA

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

1.25V @ 150mA

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

200nA @ 80V

وولٹیج - DC ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ)

100V

رفتار

Fast Recovery = 200mA (Io)

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

3ns

آپریٹنگ درجہ حرارت - جنکشن

150°C (Max)

Capacitance @ Vr، F

0.35pF @ 0V, 1MHz

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 23686 PCS

رابطے کی معلومات