Texas Instruments TPS1120DG4 MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

TPS1120DG4

MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC

حصے کا نمبر

TPS1120DG4

مینوفیکچرر/برانڈ

Texas Instruments

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

آپریٹنگ درجہ حرارت

-40°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

پاور - زیادہ سے زیادہ

840mW

سپلائر ڈیوائس پیکیج

8-SOIC

FET قسم

2 P-Channel (Dual)

FET کی خصوصیت

Logic Level Gate

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

15V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

1.17A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

180 mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1.5V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

5.45nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 23415 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

TPS1100D

MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC