Texas Instruments TPS1101D MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

TPS1101D

MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

حصے کا نمبر

TPS1101D

مینوفیکچرر/برانڈ

Texas Instruments

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-40°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

سپلائر ڈیوائس پیکیج

8-SOIC

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

791mW (Ta)

FET قسم

P-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

15V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

2.3A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

90 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1.5V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

11.25nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

2.7V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

+2V, -15V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 13224 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

TPS1100D

MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC