Texas Instruments CSD75207W15 MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

CSD75207W15

MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA

حصے کا نمبر

CSD75207W15

مینوفیکچرر/برانڈ

Texas Instruments

سلسلہ

NexFET™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Cut Tape (CT)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

9-UFBGA, DSBGA

پاور - زیادہ سے زیادہ

700mW

سپلائر ڈیوائس پیکیج

9-DSBGA

FET قسم

2 P-Channel (Dual)

FET کی خصوصیت

Logic Level Gate

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

3.9A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

162 mOhm @ 1A, 1.8V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1.1V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

3.7nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

595pF @ 10V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 29035 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

CSD75204W15

MOSFET 2P-CH 3A 9DSBGA