Texas Instruments CSD19531Q5AT MOSFET N-CH 100V 100A 8SON

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

CSD19531Q5AT

MOSFET N-CH 100V 100A 8SON

حصے کا نمبر

CSD19531Q5AT

مینوفیکچرر/برانڈ

Texas Instruments

سلسلہ

NexFET™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-PowerTDFN

سپلائر ڈیوائس پیکیج

8-VSONP (5x6)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

3.3W (Ta), 125W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

100V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

100A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

6.4 mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3.3V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

48nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

3870pF @ 50V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

6V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 39468 PCS

رابطے کی معلومات