Texas Instruments CSD13201W10 MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

CSD13201W10

MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA

حصے کا نمبر

CSD13201W10

مینوفیکچرر/برانڈ

Texas Instruments

سلسلہ

NexFET™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

4-UFBGA, DSBGA

سپلائر ڈیوائس پیکیج

4-DSBGA (1x1)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

1.2W (Ta)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

12V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

1.6A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

34 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1.1V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

2.9nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

462pF @ 6V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

1.8V, 4.5V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±8V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 11660 PCS

رابطے کی معلومات