Texas Instruments CSD19506KTT MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

CSD19506KTT

MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3

حصے کا نمبر

CSD19506KTT

مینوفیکچرر/برانڈ

Texas Instruments

سلسلہ

NexFET™

حصہ کی حیثیت

Active

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

سپلائر ڈیوائس پیکیج

DDPAK/TO-263-3

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

375W (Tc)

FET قسم

N-Channel

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

80V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

200A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

2.3 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3.2V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

156nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

12200pF @ 40V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

6V, 10V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 20337 PCS

رابطے کی معلومات