Texas Instruments CSD17579Q3AT MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

CSD17579Q3AT

MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON

حصے کا نمبر

CSD17579Q3AT

مینوفیکچرر/برانڈ

Texas Instruments

سلسلہ

NexFET™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-PowerVDFN

سپلائر ڈیوائس پیکیج

8-VSONP (3x3.15)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

3.2W (Ta), 29W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

30V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

20A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

10.2 mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1.9V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

15nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

998pF @ 15V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

4.5V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 32958 PCS

رابطے کی معلومات