Texas Instruments CSD13306W MOSFET N-CH 12V 3.5A

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

ڈیٹا شیٹ

CSD13306W

MOSFET N-CH 12V 3.5A

حصے کا نمبر

CSD13306W

مینوفیکچرر/برانڈ

Texas Instruments

سلسلہ

NexFET™

حصہ کی حیثیت

Active

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

6-UFBGA, DSBGA

سپلائر ڈیوائس پیکیج

6-DSBGA (1x1.5)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

1.9W (Ta)

FET قسم

N-Channel

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

12V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

3.5A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1.3V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

11.2nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1370pF @ 6V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±10V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

2.5V, 4.5V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 42470 PCS

رابطے کی معلومات