Taiwan Semiconductor Corporation S1DBHM4G DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AA

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

S1DBHM4G

DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AA

حصے کا نمبر

S1DBHM4G

مینوفیکچرر/برانڈ

Taiwan Semiconductor Corporation

سلسلہ

Automotive, AEC-Q101

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

DO-214AA, SMB

سپلائر ڈیوائس پیکیج

DO-214AA (SMB)

ڈایڈڈ کی قسم

Standard

موجودہ - اوسط اصلاح شدہ (Io)

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

1.1V @ 1A

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

5µA @ 200V

وولٹیج - DC ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ)

200V

رفتار

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

آپریٹنگ درجہ حرارت - جنکشن

-55°C ~ 150°C

Capacitance @ Vr، F

12pF @ 4V, 1MHz

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 20133 PCS

رابطے کی معلومات