STMicroelectronics STV200N55F3 MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

STV200N55F3

MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10

حصے کا نمبر

STV200N55F3

مینوفیکچرر/برانڈ

STMicroelectronics

سلسلہ

STripFET™

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

سپلائر ڈیوائس پیکیج

10-PowerSO

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

300W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

55V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

200A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

2.5 mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

100nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

6800pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 24819 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

STV200N55F3

MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10