STMicroelectronics STH110N10F7-6 MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

STH110N10F7-6

MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6

حصے کا نمبر

STH110N10F7-6

مینوفیکچرر/برانڈ

STMicroelectronics

سلسلہ

DeepGATE™, STripFET™ VII

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

سپلائر ڈیوائس پیکیج

H2PAK-6

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

150W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

100V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

110A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

6.5 mOhm @ 55A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4.5V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

72nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

5117pF @ 50V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 37773 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

STH110N10F7-2

MOSFET N CH 100V 110A H2PAK