Rohm Semiconductor RW1C015UNT2R MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

RW1C015UNT2R

MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6

حصے کا نمبر

RW1C015UNT2R

مینوفیکچرر/برانڈ

Rohm Semiconductor

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

SOT-563, SOT-666

سپلائر ڈیوائس پیکیج

6-WEMT

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

400mW (Ta)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

20V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

1.5A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

180 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1V @ 1mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

1.8nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

110pF @ 10V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

1.5V, 4.5V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±10V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 6128 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

RW1C015UNT2R

MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6