Rohm Semiconductor RUS100N02TB MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

RUS100N02TB

MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP

حصے کا نمبر

RUS100N02TB

مینوفیکچرر/برانڈ

Rohm Semiconductor

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

سپلائر ڈیوائس پیکیج

8-SOP

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

2W (Ta)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

20V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

10A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

12 mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1V @ 1mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

24nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

2250pF @ 10V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

1.5V, 4.5V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±10V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 16958 PCS

رابطے کی معلومات