Rohm Semiconductor BSM300D12P2E001 MOSFET 2N-CH 1200V 300A

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

BSM300D12P2E001

MOSFET 2N-CH 1200V 300A

حصے کا نمبر

BSM300D12P2E001

مینوفیکچرر/برانڈ

Rohm Semiconductor

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tray

آپریٹنگ درجہ حرارت

-40°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Chassis Mount

پیکیج / کیس

Module

پاور - زیادہ سے زیادہ

1875W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

Module

FET قسم

2 N-Channel (Half Bridge)

FET کی خصوصیت

Standard

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

1200V (1.2kV)

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

300A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4V @ 68mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

35000pF @ 10V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 47303 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

BSM300D12P2E001

MOSFET 2N-CH 1200V 300A

Rohm Semiconductor

BSM300D12P2E001

MOSFET 2N-CH 1200V 300A

Rohm Semiconductor

BSM300GA120DLCHOSA1

IGBT 2 MED POWER 62MM-2