RFD12N06RLESM9A
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
حصے کا نمبر
RFD12N06RLESM9A
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
UltraFET™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tape & Reel (TR)
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 175°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-252AA
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
49W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
60V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
18A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
63 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
3V @ 250µA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
15nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
485pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
4.5V, 10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±16V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 22597 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ RFD12N06RLESM9A
RFD12N06RLESM9A الیکٹرانک اجزاء
RFD12N06RLESM9A سیلز
RFD12N06RLESM9A فراہم کنندہ
RFD12N06RLESM9A فراہم کنندہ
RFD12N06RLESM9A ڈیٹا ٹیبل
RFD12N06RLESM9A تصاویر
RFD12N06RLESM9A قیمت
RFD12N06RLESM9A پیشکش
RFD12N06RLESM9A کم ترین قیمت
RFD12N06RLESM9A تلاش کریں۔
RFD12N06RLESM9A خریداری
RFD12N06RLESM9A Chip