ON Semiconductor NVATS4A101PZT4G MOSFET P-CHANNEL 30V 27A ATPAK

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

NVATS4A101PZT4G

MOSFET P-CHANNEL 30V 27A ATPAK

حصے کا نمبر

NVATS4A101PZT4G

مینوفیکچرر/برانڈ

ON Semiconductor

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

سپلائر ڈیوائس پیکیج

ATPAK

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

36W (Tc)

FET قسم

P-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

30V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

27A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

30 mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2.6V @ 1mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

18.5nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

875pF @ 10V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

4.5V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 36265 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

NVATS4A101PZT4G

MOSFET P-CHANNEL 30V 27A ATPAK